طراحی مبدل های پلاریزاسیون مبتنی بر بلورهای فوتونی بر روی زیر لایه inp در پنجره طول موج 1.55μm

thesis
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده برق و کامپیوتر
  • author محسن حاتمی
  • adviser محمود نیکوفرد
  • Number of pages: First 15 pages
  • publication year 1393
abstract

در سیستم های فیبر نوری با نرخ تبادل داده بالا، کنترل پلاریزاسیون از اهمیت بالایی برخوردار است. با توجه به وجود نقص در فیبرهای نوری و موجبرها، نور با پلاریزاسیون مختلف با سرعت گروه های مختلف در موجبر منتشر می شود. برخی از دستگاه های بر روی یک تراشه فوتونی می تواند حساس به حالت پلاریزاسیون باشد. بنابراین یک راه ساده برای کنترل پلاریزاسیون استفاده از یک مبدل پلاریزاسیون می باشد. ابزارهای کنترل پلاریزاسیون مبدل ها و جدا کننده ها می باشند که می-توان آنها را به صورت ادوات فعال و ادوات غیر فعال طراحی و پیاده سازی کرد. تا کنون، انواع مختلفی از مبدلهای پلاریزاسیون با مواد linbo3، inp، سیلیکون بر روی عایق (soi)، و فن آوری لایه نشانی inp بر روی سیلیکون(imos) گزارش شده است. مبدل های پلاریزاسیون غیرفعال به صورت پیکربندی نامتقارن دوره ای، موجبر زاویه دار، موجبر خم، موجبر مستقیم با شیار h، و موجبر شیار دار گزارش شده اند اما طول کلی آنها بسیار بزرگ است (به عنوان مثال در حد چند صد مایکرومتر). کوچکترین مبدل پلاریزاسیون مبتنی بر تکنولوژی soi با طول بسیار کوتاه 2µm و ساختار هندسی مثلثی گزارش شده است. با افزایش اختلاف ضریب شکست لایه های هسته و پوشش می توان طول مبدل را کاهش داد در این پایان نامه چند نوع مبدل پلاریزاسیون جدید مبتنی بر ساختار اریب ارائه گردیده اند. این ساختارها با استفاده از روش المان محدود (fem) و روش انتشار پرتو (bpm) به صورت دو و سه بعدی تحلیل شده اند. در این ساختار مواد لایه هسته و پوشش به ترتیب ingaasp (یا si) و sio2 می باشند. مواد inp در صفحه <001> دارای زاویه خوردگی 35 درجه و برای صفحه نوع <111> دارای زاویه خوردگی 54.26 درجه و برای ماده si به ترتیب دارای زاویه خوردگی 34.6 و 52 دزجه می باشد. نتایج شبیه سازی برای شبیه سازیهای دو و سه بعدی نشان می دهد که طول مبدل پلاریزاسیون در طول موج 1.55um به کمتر از 1um با بازدهی بالای 95% می رسد که در نوع خود بهترین گزارش تاکنون می باشد.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

طراحی سنسور گازی مبتنی بر بلورهای فوتونی بر روی زیر لایه inp

در این پایان نامه ما تصمیم داریم با استفاده از الکترونیک نوری سنسورگازی طراحی کنیم که بتواند گاز موجود در یک محیط را شناسایی کند. برای این کار از شبکه بلورفوتونی استفاده می کنیم. اساس کار بلورهای فوتونی بر مبنای انعکاس و انتقال نور می باشد. یکی از پارمترهای موثر بر انعکاس و انتقال نور در بلورهای فوتونی ضریب شکست می باشد. از طرفی دیگر، گازها دارای ضریب شکست های متفاوتی می باشند. پس می توان از بل...

15 صفحه اول

طراحی و شبیه سازی بیوسنسور مبتنی بر بلورهای فوتونی بر روی زیر لایه inp

در این پایان نامه با استفاده از بلورهای فوتونی به طراحی و شبیه سازی یک بیوسنسور نوری پرداخته¬ایم، که این بیوسنسور به سبب استفاده از ساختار سه لایه inp/ ingaasp/inp قابلیت مجتمع سازی با منبع نور و آشکار ساز در یک تراشه را دارا می¬باشد. این شبکه بر اساس ساختار حفره¬ای مثلثی بوده و در طول موج ?m55/1 طراحی شده است. در این پایان نامه، سعی در طراحی بیوسنسور بلور فوتونی براساس تداخل سنج ماخ زندر داری...

تحلیل و طراحی فیلتر نوری مبتنی بر بلورهای فوتونی دوبعدی در طول موج 1550 نانومتر

در این پژوهش، با بکارگیری دو ساختار پایه مربعی و شش‏ضلعی برای ساختار پایه بلورهای فوتونی، فیلترهایی برای سامانه های ارتباطی تمام نوری پیشنهاد شد که به ترتیب در مد tm و te قابل استفاده است. این افزاره ها در پنجره مخابراتی 1550 نانومتر قابل تنظیم هستند. نتایج شبیه سازی نشان داد که با استفاده از ساختار پایه می توان بازده گذر 93% و پهنای باند 9/0 نانومتر را بدست آورد. همچنین با بهره گیری از ساختار ...

15 صفحه اول

طراحی واتافتگرهای مبتنی بر بلورهای فوتونی با قابلیت تواناسازی مناسب برای سامانه‌های مخابرات نوری

در این مقاله روشی برای فعال کردن یک واتافتگر مبتنی بر بلور فوتونی دوبعدی پیشنهاد شده است. ساختار استفاده‌شده در این مقاله از میله‌های استوانه‌ای ماده عایق الکتریک در بستری از هوا با شبکه مربعی تشکیل شده است. برای این منظور ابتدا یک واتافتگر با ساز و کار طول‌موج‌گزینی متشکل از یک نقص تشدید ارائه شده و سپس ساختار تواناساز پیشنهادی روی آن پیاده شده است. برای رسیدن به این هدف از ترکیب مخرب دو پرتو ...

full text

طراحی لیزرهای نوری چاه کوانتومی مبتنی بر مواد inp در محدوده طول موج های مادون قرمز

در این پایان نامه در ابتدا ساختار لایه و ناخالصی یک لیزر مبتنی بر مواد inp/ingaasp و ساختار بالک را بررسی و تحلیل نموده ایم. در این ساختار لایه ingaasp به عنوان لایه فعال و لایه های inp با ناخالصی تدریجی به عنوان لایه های تحدید استفاده شدند. این لیزر درطول موج µm 55/1 تشعشع خواهد داشت. سپس بجای لایه فعال ingaasp از سه جفت لایه inp/ingaas چاه کوانتومی استفاده گردید. ساختار جدید نشان می دهد که مش...

15 صفحه اول

طراحی واتافتگرهای مبتنی بر بلورهای فوتونی با قابلیت تواناسازی مناسب برای سامانه های مخابرات نوری

در این مقاله روشی برای فعال کردن یک واتافتگر مبتنی بر بلور فوتونی دوبعدی پیشنهاد شده است. ساختار استفاده شده در این مقاله از میله های استوانه ای ماده عایق الکتریک در بستری از هوا با شبکه مربعی تشکیل شده است. برای این منظور ابتدا یک واتافتگر با ساز و کار طول موج گزینی متشکل از یک نقص تشدید ارائه شده و سپس ساختار تواناساز پیشنهادی روی آن پیاده شده است. برای رسیدن به این هدف از ترکیب مخرب دو پرتو ...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده برق و کامپیوتر

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023